一、 1类瓷介电容器（DCC型）电容量偏小的主要原因有：

1、 测试频率不是1MHZ（许多仪器只有1KHZ和100KHZ）。

2、 测试电压不是1.0V，而是小于1.0V（许多仪器测试电压为0.3V）。

3、 SL温度系数产品，测试环境温度不在25±2℃范围。

4、 产品本身确实电容量偏小。

二、 1类瓷介电容器（DCC型）电容量偏大的主要原因有：

1、 测试频率不是1MHZ（许多仪器只有1KHZ和100KHZ）。

2、 测试仪器设有补偿夹具电容量分功能（夹具的分布电容使电容量偏大）。

3、 测试电压大于1.0V。

4、 SL温度系数产品，测试环境温度不在25±2℃范围。

5、 产品本身确实电容量偏大。

三、 2类瓷介电容器（DCT型）电容量偏小的主要原因有：

1、 测试环境温度不在25±2℃范围。不清楚电容量偏差与温度特性的概念。

2、 测试频率不是用1KHZ。

3、 测试电压不是1.0V，而是小于1.0V。

4、 测试者手温影响。

5、 产品放置时间过长（例如发往客户产品，客户经很长时间才使用），因老化使电容量偏小。

6、 产品本身确实电容量偏小。

四、 2类瓷介电容器（DCT型）电容量偏大的主要原因有：

1、 测试环境温度不在25±2℃范围。不清楚电容量偏差与温度特性的概念。

2、 测试电压大于1.0V。

3、 测试频率不是1KHZ。

4、 测试者手温影响。

5、 产品经热处理后（例如经波峰焊后），退老化时间小于48小时。

6、 产品本身确实电容量偏大。

五、 3类瓷介电容器（DCS型）电容量偏小的主要原因

与2类瓷介电容器相同，但其测试电压应为0.1V。

六、 3类瓷介电容器（DCS型）电容量偏大的主要原因

与2类瓷介电容器相同，但其测试电压应为0.1V。

七、 1类瓷介电容器Q值(品质因素)偏小的主要原因有：

1、 测试仪器精度差，不能达到测量Q值要求精度。

2、 测试频率不是1MHZ。

3、 测试夹具不清洁（用酒精清洗即可）。

4、 产品本身确实Q值偏小。

八、 2类瓷介电容器DF(损耗角正切)大的主要原因有：

1、 测试环境温度太低，小于23℃以下。

2、 测试电压大于1.0V。

3、 测试频率不是1KHZ。

4、 产品本身确实DF大。

九、 IR(绝缘电阻)偏小的主要原因有：

1、 充电时间不够，标准规定为1分钟。

2、 测试环境的温度高。

3、 测试者手汗的影响。

4、 产品本身确实偏小。（主要原因有：a．产品介质击穿；b．产品介质有裂纹；c．瓷片没有烧熟；d．二电极由于焊料或银面翻边而短路。）

十、 耐电压不合格的主要原因有：

1、 测量时瞬间加压，不是从零调到规定电压。

2、 测试线路中没有阻流电阻，充电电流过大，使产品击穿。

3、 直流电容器加交流电压进行耐电压试验。

4、 仪表的漏电流越差指示灯设定的漏电流过小。

5、 产品本身不合格。（主要原因有：a．产品介质有裂纹；b．产品介质没有流边量；c．产品介质有针孔；d．产品介质有杂质。）

十一、交流电容器耐电压测试漏电流大的主要原因：

通交流电压时，经过电容器的不是漏电流，而是直接通交流，理论上通过的电流如下公式计算：I=WCU；可见电容量越大，通过的电流也大，因此检验时，通过的电流与电容量直接相关，如果大电容量电容器，设定电流超限指示灯的电流过小，会误判为电容器不合格。

十二、半导体电容器绝缘电阻一面合格，另一面不合格原因：

半导体电容器的结构如下：

               电极  

                      绝缘层

                   半导体                                等效电路图

从等效电路可知：当半导体绝缘层一面破坏时，加电压正负极不相同时，会出现上面所述一面IR合格，另一面不合格。

由于半导体电容器的介质为很薄的一绝缘层，因而容易遭破坏，而使产品失效，测量时若加耐电压过高会破坏绝缘层。

十三、电容器击穿的主要机理：

    1、电击穿